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碳化硅器件在電動汽車領域的應用前景簡析
工業的蓬勃發展,全球能源消耗逐年增加。在我國,機動車污染已成為空氣污染的重要來源,是造成灰霾、光化學煙霧污染的重要原因,機動車污染防治的緊迫性日益凸顯。節能減排已成為汽車業發展的重大課題。因此,大力發展新能源汽車是實現節能減排,促進我國汽車產業可持續發展的戰略性措施。
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碳化硅電力電子器件的發展現狀分析
在過去的十五到二十年中,碳化硅電力電子器件領域取得了令人矚目的成就,所研發的碳化硅器件的性能指標遠超當前硅基器件,并且成功實現了部分碳化硅器件的產業化,在一些重要的能源領域開始逐步取代硅基電力電子器件,并初步展現出其巨大的潛力。碳化硅電力電子器件的持續進步將對電力電子技術領域的發展起到革命性的推動作用。隨著SiC單晶和外延材料技術的進步,各種類型的SiC器件被開發出來。SiC器件主要包括二極管和開關管。SiC二極管主要包括肖特基勢壘二極管及其新型結構和PiN型二極管。SiC開關管的種類較多,具有代表性的開關管有金屬氧化物半導體場效應開關管(MOSFET)、結型場效應開關管(JFET)、絕緣柵雙極開關管(IGBT)三種。
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十三五”規劃:2020年我國充電設施可滿足超500萬輛電動汽車的充電需求
根據國家發展改革委、國家能源局近日發布的《電力發展“十三五”規劃》,將加快充電設施建設,促進電動汽車發展,2020年充電設施將可滿足全國超過500萬輛電動汽車的充電需求。
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碳化硅單晶切割技術研究
碳化硅單晶材料是第三代寬禁帶半導體材料的代表,對電子產業的發展起到強有力的支 撐。晶片加工技術是器件生產的重要基礎和基本保證,任何具有優異特性的材料只有在成功有效的加工技術下才能發揮實際效能。本文介紹了切割工藝,通過工藝實驗及對實驗結果的分析,確定了切割工藝參數。
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“十三五”能源規劃即將面世 體現創新和轉型
國家能源局副局長李仰哲日前在2016年能源大轉型高層論壇上表示,能源發展“十三五”規劃已經國家能源委員會第二次會議審議通過,即將正式出爐,該規劃將體現創新發展和轉型發展兩大特征。同時,國家能源局組織編制的14個能源領域專項規劃同樣進展順利。
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