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碳化硅-MOSFET晶體管


       碳化硅場效應晶體管(SiC MOSFET)使用第三代寬禁帶半導體材料碳化硅制作,應用于各種開關電路和功率???。碳化硅具有硅材料十倍以上的臨界電場強度,三倍的禁帶寬度和三倍的熱導率,因而SiC MOSFET在相同功率等級下有更低的導通電阻,更高的工作頻率,開關損耗大幅降低,高溫特性好,可大幅減小功率??櫚奶寤吞岣咴詬呶鹿ぷ饗碌奈榷ㄐ?。


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